“记忆通胀”引发汽车行业生产中断担忧 “记忆通胀”（记忆半导体与通货膨胀的合成词）现象——即上升的内存价格推动成品成本上涨——其影响正从PC和智能手机市场转向汽车行业。除了日益增加的成本压力外，如果汽车内存短缺加剧，生产中断的潜在担忧也在增加。预计这一趋势将对纯电动汽车（EV）制造商的影响大于传统的老牌汽车制造商。 根据行业消息，来自中国电动汽车制造商NIO的首席执行官William Li在7日的最近一次会议上表示：“今年汽车行业面临的最大成本压力不是原材料，而是价格疯狂上涨的内存半导体。”他补充道：“内存价格的上涨可能会在全年对车辆施加巨大的成本压力。”根据巴克莱最近的一份汽车行业分析报告，主要用于车辆的DDR4 DRAM价格在1月份与去年同期相比飙升了1845%。 这一变化主要是由于全球“三大”内存制造商——三星电子、SK海力士和美光——将生产能力集中在高带宽内存（HBM）和其他AI服务器级芯片上。随着生产集中在这些高价值半导体上，相对低价的汽车内存供应正在急剧下降。欧洲投资银行瑞银预测：“汽车内存价格的飙升和短缺将在第二季度开始真正显现。” 市场动态与成本影响 预计今年汽车内存市场价值为162.9亿美元，占总内存市场的不到5%。由于汽车内存价格低，但需要高安全标准和较长的开发周期，因此通常被视为半导体行业中的“低利润”细分市场。 分析表明，汽车内存价格的飙升将对以电动汽车和自动驾驶为重点的公司（如特斯拉和Rivian）造成更大的负担，而不是内燃机（ICE）汽车制造商。半导体需求的差异显著： - 内燃机汽车：约200个芯片 - 电动汽车（EV）：约1,000个芯片 - 自动驾驶汽车：约2,000个以上芯片 巴克莱预测，在最坏的短缺情况下，高端电动汽车的DRAM成本可能会飙升500%，从每辆车200美元跃升至1,200美元。